基础信息
标准号:GB/T 11297.6-1989发布日期:1989-03-31实施日期:1990-01-01标准类别:方法中国标准分类号:L32归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委
起草单位
电子十一所
相近标准(计划)
GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法GB/T 11297.7-1989 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法20240136-T-469 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片20232223-T-605 金属和合金的腐蚀 点蚀评价指南GB/T 5252-2020 锗单晶位错密度的测试方法GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法

客服QQ